2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 530 mΩ, 3.8 A 20 V, MicroFET, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
759-9147
Codice costruttore:
FDME1034CZT
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

MicroFET

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

530mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.6mm

Altezza

0.5mm

Lunghezza

1.6mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..

I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente.

Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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