2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 530 mΩ, 3.8 A 20 V, MicroFET, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 5 unità*

5,56 €

(IVA esclusa)

6,785 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Scorte limitate
  • Più 2235 unità in spedizione dal 01 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Nastro*
5 - 451,112 €5,56 €
50 - 950,958 €4,79 €
100 - 4950,83 €4,15 €
500 - 9950,73 €3,65 €
1000 +0,664 €3,32 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
759-9147
Codice costruttore:
FDME1034CZT
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

MicroFET

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

530mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

0.7V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

1.6 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

1.6mm

Altezza

0.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..

I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente.

Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati