- Codice RS:
- 864-8483
- Codice costruttore:
- FDMS86350
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
3,48 €
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4,25 €
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Unità | Per unità | Per Pack* |
2 - 8 | 3,48 € | 6,96 € |
10 - 98 | 2,825 € | 5,65 € |
100 - 248 | 2,285 € | 4,57 € |
250 - 498 | 2,205 € | 4,41 € |
500 + | 2,025 € | 4,05 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 864-8483
- Codice costruttore:
- FDMS86350
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 130 A |
Tensione massima drain source | 80 V |
Tipo di package | PQFN8 |
Serie | PowerTrench |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 8 |
Resistenza massima drain source | 3,8 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2.5V |
Dissipazione di potenza massima | 156 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Larghezza | 6.25mm |
Lunghezza | 5.1mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Materiale del transistor | Si |
Altezza | 1.05mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 864-8483
- Codice costruttore:
- FDMS86350
- Costruttore:
- onsemi
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