MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 130 A, 8 Pin, WDFN, Superficie FDMS86350

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
864-8483
Codice costruttore:
FDMS86350
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.1mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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