Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 400 mΩ, 11 A, TO-263, Montaggio superficiale

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Codice RS:
760-9477
Codice costruttore:
STB11NM80T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

11 A

Tensione massima drain source

800 V

Serie

MDmesh

Tipo di package

TO-263

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

400 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

10.4mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

43,6 nC a 10 V

Lunghezza

10.75mm

Altezza

4.6mm

Minima temperatura operativa

-65 °C

Questi MOSFET di potenza a canale N sono sviluppati utilizzando la rivoluzionaria tecnologia MDmesh™ di STMicroelectronics, che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dell'azienda. Questi dispositivi offrono resistenza all'accensione estremamente bassa, elevata dv/dt ed eccellenti caratteristiche di valanghe. Utilizzando la tecnica a striscia proprietaria di ST, questi MOSFET di potenza vantano prestazioni dinamiche complessive superiori a quelle di prodotti simili presenti sul mercato.

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

Bassa resistenza di ingresso del gate

Migliore RDS(on)Qg nel settore

Applications

Applicazioni di commutazione

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