MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 300 V, 0.04 Ω Miglioramento, 53 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB45N30M5

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
192-4977
Codice costruttore:
STB45N30M5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

53A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

300V

Tipo di package

TO-263

Serie

MDmesh M5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.04Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±25 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

95nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.37mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.35 mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo dispositivo è un MOSFET di potenza a canale N basato sull'innovativa tecnologia di processo verticale MDmesh™ M5 combinata con il ben noto layout orizzontale PowerMESH™. Il prodotto risultante offre una resistenza all'accensione estremamente bassa, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono un'elevata potenza e un'efficienza superiore.

RDS(ON) estremamente basso

Bassa carica del gate e capacità di ingresso

Eccellenti prestazioni di commutazione

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