Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,4 mΩ, 75 A, TO-251, Su foro

Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
760-9761
Codice costruttore:
STU75N3LLH6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

75 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

TO-251

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

60 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

17 nC a 4,5 V

Larghezza

2.4mm

Lunghezza

6.6mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

6.9mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.


Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Link consigliati