Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8,4 mΩ, 75 A, TO-251, Su foro
- Codice RS:
- 760-9761
- Codice costruttore:
- STU75N3LLH6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Non disponibile
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- Codice RS:
- 760-9761
- Codice costruttore:
- STU75N3LLH6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 75 A | |
| Tensione massima drain source | 30 V | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 8,4 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima | 60 W | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 17 nC a 4,5 V | |
| Larghezza | 2.4mm | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Altezza | 6.9mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 75 A | ||
Tensione massima drain source 30 V | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 8,4 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 2.5V | ||
Tensione di soglia gate minima 1V | ||
Dissipazione di potenza massima 60 W | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Carica gate tipica @ Vgs 17 nC a 4,5 V | ||
Larghezza 2.4mm | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Altezza 6.9mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics
I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
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