MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 10 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-251, Superficie DMT69M5LH3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2883
Codice costruttore:
DMT69M5LH3
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-251

Serie

DMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Altezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

Il contenitore termicamente efficiente con fattore di forma ridotto consente prodotti finali a densità più elevata

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