MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 10 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-251, Superficie

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Codice RS:
222-2882
Codice costruttore:
DMT69M5LH3
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-251

Serie

DMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

2.3 mm

Altezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

Il contenitore termicamente efficiente con fattore di forma ridotto consente prodotti finali a densità più elevata

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