Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8 Ω, 1,4 A, TO-251, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1,4 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

TO-251

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

45 W

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

6.6mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

2.4mm

Carica gate tipica @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Altezza

6.2mm

Minima temperatura operativa

-55 °C