MOSFET STMicroelectronics, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

22 A

Tensione massima drain source

950 V

Tipo di package

TO-247

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

360 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

400 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Carica gate tipica @ Vgs

105 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Numero di elementi per chip

1

Altezza

20.15mm

Minima temperatura operativa

-55 °C