MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10,5 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

110 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-247

Serie

STripFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

10,5 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

312 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

5.15mm

Carica gate tipica @ Vgs

172 nC a 10 V

Lunghezza

15.75mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

20.15mm

Minima temperatura operativa

-55 °C