MOSFET STMicroelectronics, canale N, 45 mΩ, 52 A, TO-247, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

52 A

Tensione massima drain source

250 V

Tipo di package

TO-247

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

45 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

300 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

15.75mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

160 nC @ 10 V

Larghezza

5.15mm

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

20.15mm