MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10,5 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 810-3700
Codice costruttore:: STW120NF10
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10,5 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 810-3700
Codice costruttore:: STW120NF10
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 100 V, 0.009 ohm, 110 A STripFET II Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	110 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-247
Serie	STripFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	10,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	312 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	172 nC a 10 V
Lunghezza	15.75mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10,5 mΩ, 110 A, TO-247, Su foro

STripFET™ a canale V, STMicroelectronics

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