MOSFET STMicroelectronics, canale N, 60 mΩ, 51 A, TO-247, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
761-0336
Codice costruttore:
STW55NM60ND
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

51 A

Tensione massima drain source

600 V

Serie

FDmesh

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

60 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

350 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

190 nC @ 10 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

15.75mm

Larghezza

5.15mm

Altezza

20.15mm

MOSFET di potenza FDmesh™ a canale N, STMicroelectronics



Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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