1 MOSFET STMicroelectronics Singolo, canale N, 60 mΩ, 51 A 600 V, TO-247, Foro passante, Foro passante Miglioramento, 3
- Codice RS:
- 103-1993
- Codice costruttore:
- STW55NM60ND
- Costruttore:
- STMicroelectronics
- Codice RS:
- 103-1993
- Codice costruttore:
- STW55NM60ND
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 60 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 51 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 600 V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante, Foro passante | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 3 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione diretta (Vf) | 1.3 V | |
| Altezza | 20.15 mm | |
| Lunghezza | 15.75 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | -25 V, +25 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 350 W | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | FDmesh | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs | 190 nC | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 60 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 51 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 600 V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante, Foro passante | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 3 | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione diretta (Vf) 1.3 V | ||
Altezza 20.15 mm | ||
Lunghezza 15.75 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) -25 V, +25 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 350 W | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie FDmesh | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs 190 nC | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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