MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 36 mΩ Miglioramento, 72 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
195-2680
Codice costruttore:
STWA75N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

446W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

21.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.9mm

Larghezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La nuova tecnologia MDmesh™ M6 incorpora i più recenti progressi nella nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente miglioramento RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza facile da usare per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa resistenza di ingresso gate

Protezione Zener

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