MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 36 mΩ Miglioramento, 72 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STWA75N60M6
- Codice RS:
- 195-2681
- Codice costruttore:
- STWA75N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 195-2681
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- STWA75N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 72A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 36mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 446W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 106nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 72A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 36mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 446W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 106nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 21.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
La nuova tecnologia MDmesh™ M6 incorpora i più recenti progressi nella nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente miglioramento RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza facile da usare per la massima efficienza delle applicazioni finali.
Perdite di commutazione ridotte
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa resistenza di ingresso gate
Protezione Zener