Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale N 710 V, 17 mΩ Miglioramento, 130 A, 3 Pin, Max247, Foro passante STY139N65M5

Codice RS:: 783-3028
Codice costruttore:: STY139N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N 710 V, 17 mΩ Miglioramento, 130 A, 3 Pin, Max247, Foro passante STY139N65M5

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Codice RS:: 783-3028
Codice costruttore:: STY139N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	130A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	710V
	Tipo di package	Max247
	Serie	MDmesh M5
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	17mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	363nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-25V, +25V
	Dissipazione di potenza massima Pd	625W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	15.9mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5.3mm
	Altezza	20.3mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 130A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 710V
	Tipo di package Max247
	Serie MDmesh M5
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 363nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V
	Dissipazione di potenza massima Pd 625W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 15.9mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5.3mm
	Altezza 20.3mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics

I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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