MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 15 mΩ Miglioramento, 138 A, 3 Pin, Foro passante STY145N65M5
- Codice RS:
- 880-5474
- Codice costruttore:
- STY145N65M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
37,83 €
(IVA esclusa)
46,15 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 10 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 1 | 37,83 € |
| 2 - 4 | 36,83 € |
| 5 - 9 | 35,89 € |
| 10 + | 34,99 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 880-5474
- Codice costruttore:
- STY145N65M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 138A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 414nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 625W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Larghezza | 5.3 mm | |
| Altezza | 20.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 138A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 414nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 625W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Larghezza 5.3 mm | ||
Altezza 20.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 15 mΩ Max247, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 45 mΩ Max247, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 17 mΩ Max247, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 550 mΩ TO-247, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 130 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 250 mΩ TO-220FP, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 160 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 160 mΩ TO-220FP, Su foro
