1 MOSFET STMicroelectronics Singolo, canale N, 1.2 Ω, 4.5 A 650 V, TO-263, Superficie Miglioramento, 3 Pin STB6N60M2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
786-3580
Codice costruttore:
STB6N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Numero elementi per chip

1

Tipo prodotto

MOSFET

Configurazione transistor

Singolo

Tipo di canale

N

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

1.2 Ω

Massima corrente di scarico continua (Id)

4.5 A

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

650 V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

Miglioramento

Numero pin

3

Altezza

9.35 mm

Lunghezza

10.4 mm

Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs)

25 V, -25 V

Temperatura massima di funzionamento

150 °C

Dissipazione di potenza massima (Pd)

60 W

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

MDmesh M2

Larghezza

4.6 mm

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics


A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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