MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 1.2 Ω Miglioramento, 4.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD6N60M2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
786-3615
Codice costruttore:
STD6N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Serie

MDmesh M2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-25V, +25V

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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