MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 600 mΩ Miglioramento, 7.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP10N60M2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
786-3763
Codice costruttore:
STP10N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

MDmesh M2

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

85W

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.6 mm

Altezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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