MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.185 Ω Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SOT-323, Superficie Si1308EDL-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9121
Codice costruttore:
Si1308EDL-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-323

Serie

Si1308EDL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.185Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-Free

Altezza

1mm

Larghezza

1.35 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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