MOSFET Vishay, canale N 30 V, 480 mΩ Miglioramento, 600 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie SI1302DL-T1-E3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

3,93 €

(IVA esclusa)

4,79 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 620 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Ultime 880 unità in spedizione dal 22 ottobre 2026

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,393 €3,93 €
100 - 4900,296 €2,96 €
500 - 9900,276 €2,76 €
1000 - 24900,216 €2,16 €
2500 +0,185 €1,85 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
655-6795
Codice costruttore:
SI1302DL-T1-E3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

600mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SC-70

Serie

Si1302DL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

480mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.86nC

Dissipazione di potenza massima Pd

280mW

Tensione diretta Vf

800mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.