MOSFET Vishay, canale N, 480 mΩ, 600 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 169-6089
Codice costruttore:: SI1302DL-T1-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 480 mΩ, 600 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,119 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,119 €	357,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 169-6089
Codice costruttore:: SI1302DL-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Si1302DL N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	600 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	480 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	280 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	2.2mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,86 nC a 10 V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 480 mΩ, 600 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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