MOSFET Vishay, canale N 30 V, 480 mΩ Miglioramento, 600 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie SI1302DL-T1-E3

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Codice RS:
169-6089
Codice costruttore:
SI1302DL-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

600mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SC-70

Serie

Si1302DL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

480mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.86nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

280mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

800mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.35mm

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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