MOSFET Vishay, canale N, 185 mΩ, 1,5 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7247
Codice costruttore:: SI1308EDL-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 185 mΩ, 1,5 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-7247
Codice costruttore:: SI1308EDL-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1308EDL, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	185 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	400 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Carica gate tipica @ Vgs	1,4 nC a 4,5 V
Larghezza	1.35mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2.2mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 185 mΩ, 1,5 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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