MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 793-1055
Codice costruttore:: NTF3055-100T1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 793-1055
Codice costruttore:: NTF3055-100T1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 10 V c.c.
Larghezza	3.7mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.65mm

MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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