MOSFET onsemi, canale N, 120 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 805-8717
Codice costruttore:: NVF3055L108T1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 120 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 805-8717
Codice costruttore:: NVF3055L108T1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-15 V, +15 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	7,6 nC a 5 V
Larghezza	3.7mm
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 120 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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