MOSFET IXYS, canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
801-1389
Codice Distrelec:
302-53-309
Codice costruttore:
IXFH15N100Q3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

15 A

Tensione massima drain source

1000 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,05 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

6.5V

Dissipazione di potenza massima

690 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

16.26mm

Carica gate tipica @ Vgs

64 nC a 10 V

Larghezza

5.3mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

16.26mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS


I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido
RDS(on) e QG (carica gate) ridotti
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitori conformi allo standard industriale
Contenitore a bassa induttanza
Alta densità di potenza


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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