- Codice RS:
- 801-1389
- Codice costruttore:
- IXFH15N100Q3
- Costruttore:
- IXYS
17 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Prezzo per Unità
16,17 €
(IVA esclusa)
19,73 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 + | 16,17 € |
- Codice RS:
- 801-1389
- Codice costruttore:
- IXFH15N100Q3
- Costruttore:
- IXYS
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS
I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.
Diodo raddrizzatore intrinseco rapido
RDS(on) e QG (carica gate) ridotti
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitori conformi allo standard industriale
Contenitore a bassa induttanza
Alta densità di potenza
RDS(on) e QG (carica gate) ridotti
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitori conformi allo standard industriale
Contenitore a bassa induttanza
Alta densità di potenza
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 15 A |
Tensione massima drain source | 1000 V |
Tipo di package | TO-247 |
Serie | HiperFET, Q3-Class |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 1,05 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 6.5V |
Dissipazione di potenza massima | 690 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 64 nC a 10 V |
Larghezza | 5.3mm |
Materiale del transistor | Si |
Lunghezza | 16.26mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 16.26mm |
Link consigliati
- Tubo al neon T8 da 1200mm 3350 lm attacco G13
- Connettore D-Sub RS PRO standard Femmina terminazione a saldare
- Timer Relay Finder 0.1 → 20 s 1 poli Guida DIN
- CPU PLC Siemens SIMATIC S7-1200 2 interruttori come analogico)
- Profilo struttura RS PRO in Alluminio, 20 x 20 mm x 1000mm
- Rilevatore di fumo di sigaretta Hoyles
- Rilevatore di fumo FireHawk Safety Products
- Copertura punto di chiamata RS PRO