MOSFET onsemi, canale N, 145 mΩ, 2,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 802-1954
Codice costruttore:: MVGSF1N03LT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 145 mΩ, 2,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 802-1954
Codice costruttore:: MVGSF1N03LT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,1 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	145 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Dissipazione di potenza massima	690 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	6 nC @ 10 V.
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 145 mΩ, 2,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

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