- Codice RS:
- 807-6673
- Codice costruttore:
- HUF75321P3
- Costruttore:
- onsemi
160 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per 1pz in confezione da 10
1,117 €
(IVA esclusa)
1,363 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
---|---|---|
10 - 90 | 1,117 € | 11,17 € |
100 - 240 | 0,834 € | 8,34 € |
250 - 490 | 0,824 € | 8,24 € |
500 - 990 | 0,705 € | 7,05 € |
1000 + | 0,574 € | 5,74 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 807-6673
- Codice costruttore:
- HUF75321P3
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.
Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 35 A |
Tensione massima drain source | 55 V |
Serie | UltraFET |
Tipo di package | TO-220AB |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 34 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 93 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Larghezza | 4.7mm |
Lunghezza | 10.67mm |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 36 nC a 20 V |
Materiale del transistor | Si |
Altezza | 16.3mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
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