MOSFET Vishay, canale N, 8 Ω, 240 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3069
Codice costruttore:: SI1330EDL-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 8 Ω, 240 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 812-3069
Codice costruttore:: SI1330EDL-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1330EDL, N-Channel 60V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	240 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	280 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,4 nC a 4,5 V
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Vishay, canale N, 8 Ω, 240 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

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