MOSFET Vishay, canale N 40 V, 4.2 mΩ Miglioramento, 27 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR416DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1272
Codice costruttore:
SIR416DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SiR416DP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.7V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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