MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 75 mΩ, 125 mΩ, 2,6 A, 4,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

2,6 A, 4,7 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

75 mΩ, 125 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

2,1 W

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

2

Carica gate tipica @ Vgs

20,4 nC a 10 V, 24,2 nC a 10 V

Larghezza

3.95mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

4.95mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C