MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 75 mΩ, 125 mΩ, 2,6 A, 4,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-4059
Codice costruttore:: ZXMC4559DN8TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 75 mΩ, 125 mΩ, 2,6 A, 4,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-4059
Codice costruttore:: ZXMC4559DN8TA
Costruttore:: DiodesZetex

Complementary 60v Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A, 4,7 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	75 mΩ, 125 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	20,4 nC a 10 V, 24,2 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	4.95mm
Larghezza	3.95mm
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 75 mΩ, 125 mΩ, 2,6 A, 4,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.

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