MOSFET Toshiba, canale N, 600 mΩ, 7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-6274
Codice costruttore:
TK7P60W,RVQ(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

7 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

TK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

600 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.7V

Dissipazione di potenza massima

60 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

6.6mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Larghezza

6.1mm

Carica gate tipica @ Vgs

15 nC a 10 V

Altezza

2.3mm

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, serie TK6 e TK7, Toshiba


Transistor MOSFET, Toshiba


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