MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW33N60M2

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Codice RS:
829-1504
Codice costruttore:
STW33N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

MDmesh M2

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-25V, +25V

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.15mm

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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