MOSFET Infineon, canale N, 3,7 mΩ, 206 A, TO-273AA, Su foro

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

206 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-273AA

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3,7 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

300 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

160 nC @ 10 V

Lunghezza

11mm

Larghezza

5mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-40 °C

Altezza

20.5mm