MOSFET Infineon, canale N, 3,7 mΩ, 206 A, TO-273AA, Su foro

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250 - 4951,808 €
500 - 9951,626 €
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Opzioni di confezione:
Codice RS:
865-5819P
Codice costruttore:
IRFBA1404PPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

206 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

TO-273AA

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3,7 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

300 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

5mm

Lunghezza

11mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

160 nC @ 10 V

Altezza

20.5mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Paese di origine:
MX

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