- Codice RS:
- 879-3283
- Codice costruttore:
- VP2106N3-G
- Costruttore:
- Microchip
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 25
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0,611 €
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Unità | Per unità | Per Pack* |
25 - 75 | 0,501 € | 12,525 € |
100 + | 0,454 € | 11,35 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 879-3283
- Codice costruttore:
- VP2106N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET con modalità potenziata a canale P Supertex
La gamma di transistor DMOS FET con modalità potenziata a canale P (normally-off) Supertex di Microchip è ideale per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una bassa tensione di soglia, un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.
Transistor MOSFET, Microchip
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | P |
Corrente massima continuativa di drain | 250 mA |
Tensione massima drain source | 60 V |
Tipo di package | TO-92 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 15 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 3.5V |
Dissipazione di potenza massima | 1 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Lunghezza | 5.08mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Larghezza | 4.06mm |
Materiale del transistor | Si |
Altezza | 5.33mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Tensione diretta del diodo | 2V |
- Codice RS:
- 879-3283
- Codice costruttore:
- VP2106N3-G
- Costruttore:
- Microchip