MOSFET Infineon, canale N, 2,5 mΩ, 270 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 879-3321
Codice costruttore:: IRFP3006PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,5 mΩ, 270 A, TO-247, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 879-3321
Codice costruttore:: IRFP3006PBF
Costruttore:: Infineon

IRFP3006PbF, HEXFET Power MOSFET 60V 195A
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	270 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	15.87mm
Carica gate tipica @ Vgs	200 nC @ 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.31mm
Altezza	20.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V
Serie	HEXFET

MOSFET Infineon, canale N, 2,5 mΩ, 270 A, TO-247, Su foro

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

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