MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 600 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FCD7N60TM

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
903-4131
Codice costruttore:
FCD7N60TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SuperFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.4V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor


Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.

Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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