MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1200 V, 196 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante C2M0160120D

Codice RS:: 904-7348
Codice costruttore:: C2M0160120D
Costruttore:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1200 V, 196 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante C2M0160120D

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Codice RS:: 904-7348
Codice costruttore:: C2M0160120D
Costruttore:: Wolfspeed

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Wolfspeed
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	19A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1200V
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	196mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	3.9V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	34nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	21.1mm
	Larghezza	5.21 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	16.13mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Wolfspeed
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 19A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 196mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 3.9V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 21.1mm
	Larghezza 5.21 mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 16.13mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed

MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.

• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata

• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V

• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice

• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione

• Funzionamento resistente a latch-up

MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1200 V, 196 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante C2M0160120D

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MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed

Transistor MOSFET, Wolfspeed

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