MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 37 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
913-4073
Codice costruttore:
IRLML6344TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

37mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.8nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET della serie HEXFET di Infineon, corrente continua massima di drenaggio di 5 A, tensione massima di alimentazione di drenaggio di 30 V - IRLML6344TRPBF


Questo MOSFET è un dispositivo a canale N a montaggio superficiale ad alte prestazioni, adatto a varie applicazioni nei settori dell'elettronica e dell'automazione. Progettato con un package SOT-23 compatto, misura 3,04 mm di lunghezza, 1,4 mm di larghezza e 1,02 mm di altezza. Presenta eccellenti prestazioni termiche, con un intervallo di temperatura operativa compreso tra -55°C e +150°C.

Caratteristiche e vantaggi


• Offre una corrente di drenaggio continua di 5A per prestazioni robuste

• La tensione massima di drain-source di 30 V supporta vari requisiti

• Il basso valore di RDS(on) di 29mΩ a VGS = 4,5 V riduce le perdite di potenza

• L'ampio intervallo di tensione di soglia del gate consente un funzionamento flessibile

• L'efficiente capacità di dissipazione di potenza di 1,3 W aumenta l'affidabilità

Applicazioni


• Ideale per la commutazione del carico del microcontrollore nei sistemi elettronici

• Utilizzato nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione per il settore automobilistico

• Efficace nei convertitori DC-DC per una conversione energetica efficiente

• Adatto ai sistemi di gestione della batteria per migliorare le prestazioni

• Efficace nei circuiti di controllo dei motori per le attività di automazione

Qual è il significato del basso valore di RDS(on)?


Il basso valore di RDS(on) indica perdite di conduzione inferiori, che si traducono in una migliore efficienza, soprattutto nelle applicazioni ad alta corrente. Questa caratteristica è essenziale per ridurre la generazione di calore nell'elettronica di potenza.

Quale intervallo di tensione può essere applicato alla giunzione gate-source?


La tensione massima del gate-source è di ±12V, consentendo una certa flessibilità nelle condizioni di pilotaggio e garantendo al contempo l'integrità del dispositivo entro i limiti nominali.

Come si comporta il dispositivo alle alte temperature?


Con una temperatura operativa massima di +150°C, il MOSFET è costruito per resistere agli ambienti più difficili, garantendo un funzionamento affidabile nelle applicazioni più impegnative.

Quali vantaggi offre il design a montaggio superficiale?


Il design a montaggio superficiale SOT-23 consente layout circuitali compatti e migliora la gestione termica, rendendolo ideale per i moderni assemblaggi elettronici.

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