MOSFET Infineon, canale P, 32,5 mΩ, 9,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

9,2 A

Tensione massima drain source

30 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

32,5 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.4V

Tensione di soglia gate minima

1.3V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

25 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4mm

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V