MOSFET Infineon, canale P, 6,8 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-3912
Codice costruttore:: IRF9310TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 6,8 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 827-3912
Codice costruttore:: IRF9310TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF9310TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	6,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	110 nC a 15 V, 58 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale P, 6,8 mΩ, 20 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon

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