MOSFET Infineon, canale N, 44 mΩ, 32 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Questo MOSFET è fondamentale per le applicazioni elettroniche ad alta potenza, in quanto offre prestazioni robuste con una bassa resistenza di accensione e un'ampia gamma di temperature operative. Utilizzando la tecnologia HEXFET, garantisce un funzionamento efficiente, rendendolo adatto a vari compiti industriali e di automazione. Il suo package DPAK (TO-252) a montaggio superficiale facilita l'integrazione nei circuiti elettronici, mentre il design in modalità enhancement ottimizza l'efficienza di commutazione.

• Capacità di corrente di drenaggio continua di 32A per applicazioni versatili
• Tensione massima di 100 V per un utilizzo flessibile
• Il basso RDS(on) di 44mΩ riduce la perdita di potenza e la generazione di calore
• Potenza massima dissipata di 130 W per una maggiore durata
• Supporta la commutazione ad alta velocità per migliorare le prestazioni del circuito
• Il design a montaggio superficiale semplifica l'integrazione dei PCB

• Utilizzato nei convertitori DC-DC all'interno di sistemi di alimentazione industriali
• Efficace per i circuiti di controllo dei motori nella robotica e nell'automazione
• Adatto per la gestione dell'alimentazione nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Impiegato nei sistemi di illuminazione elettronica per l'efficienza energetica

È progettato per il montaggio in superficie con tecniche di saldatura in fase di vapore, a infrarossi o a onda, garantendo la versatilità dei metodi di assemblaggio.

Sì, è classificato per correnti di drenaggio pulsate fino a 110A, consentendo flessibilità in condizioni di carico transitorio senza danni.

La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 1,2°C/W, consentendo una gestione efficace del calore durante il funzionamento.

Questo MOSFET funziona efficacemente tra -55°C e +175°C, adatto a condizioni ambientali estreme.

Con una carica di gate tipica di 48nC a 10V, garantisce tempi di commutazione più rapidi, riducendo le perdite e migliorando l'efficienza dei circuiti.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.