MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 32 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR3411TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
915-5014
Codice costruttore:
IRFR3411TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7.49 mm

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 32 A, dissipazione di potenza massima di 130 W - IRFR3411TRPBF


Questo MOSFET è fondamentale per le applicazioni elettroniche ad alta potenza, in quanto offre prestazioni robuste con una bassa resistenza di accensione e un'ampia gamma di temperature operative. Utilizzando la tecnologia HEXFET, garantisce un funzionamento efficiente, rendendolo adatto a vari compiti industriali e di automazione. Il suo package DPAK (TO-252) a montaggio superficiale facilita l'integrazione nei circuiti elettronici, mentre il design in modalità enhancement ottimizza l'efficienza di commutazione.

Caratteristiche e vantaggi


• Capacità di corrente di drenaggio continua di 32A per applicazioni versatili

• Tensione massima di 100 V per un utilizzo flessibile

• Il basso RDS(on) di 44mΩ riduce la perdita di potenza e la generazione di calore

• Potenza massima dissipata di 130 W per una maggiore durata

• Supporta la commutazione ad alta velocità per migliorare le prestazioni del circuito

• Il design a montaggio superficiale semplifica l'integrazione dei PCB

Applicazioni


• Utilizzato nei convertitori DC-DC all'interno di sistemi di alimentazione industriali

• Efficace per i circuiti di controllo dei motori nella robotica e nell'automazione

• Adatto per la gestione dell'alimentazione nelle apparecchiature di telecomunicazione

• Impiegato nei sistemi di illuminazione elettronica per l'efficienza energetica

Quali sono i metodi di montaggio dei PCB compatibili con questo dispositivo?


È progettato per il montaggio in superficie con tecniche di saldatura in fase di vapore, a infrarossi o a onda, garantendo la versatilità dei metodi di assemblaggio.

Questo dispositivo è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate?


Sì, è classificato per correnti di drenaggio pulsate fino a 110A, consentendo flessibilità in condizioni di carico transitorio senza danni.

Qual è la resistenza termica di questo componente?


La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 1,2°C/W, consentendo una gestione efficace del calore durante il funzionamento.

In quale intervallo di temperatura può operare?


Questo MOSFET funziona efficacemente tra -55°C e +175°C, adatto a condizioni ambientali estreme.

Qual è l'impatto della carica del cancello sulle prestazioni?


Con una carica di gate tipica di 48nC a 10V, garantisce tempi di commutazione più rapidi, riducendo le perdite e migliorando l'efficienza dei circuiti.

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