MOSFET Infineon, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4713
Codice costruttore:: IRLML6401TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 919-4713
Codice costruttore:: IRLML6401TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 4,3 A, dissipazione di potenza massima di 1,3 W - IRLML6401TRPBF

Questo MOSFET a canale P è progettato per garantire l'efficienza e quindi è adatto alle applicazioni che richiedono una gestione efficace della potenza. Utilizzando la tecnologia HEXFET, offre una bassa resistenza di accensione, con conseguente riduzione della perdita di potenza durante il funzionamento. Il design robusto gli consente di resistere alle alte temperature, rendendolo adatto agli ambienti in cui le prestazioni sono essenziali.

Caratteristiche e vantaggi

• Elaborazione avanzata per una bassissima resistenza all'accensione
• Tensione massima della sorgente di drenaggio di 12 V
• Capacità di corrente di drenaggio continua di 4,3A
• Tolleranza della temperatura di giunzione fino a 150°C
• Ottimizzato per le applicazioni di commutazione rapida, migliorando l'efficienza
• Pacchetto compatto SOT-23 per progetti di circuiti efficienti dal punto di vista dello spazio

Applicazioni

• Sistemi di gestione delle batterie e dei carichi
• Elettronica portatile in cui sono richiesti componenti a basso profilo
• Soluzioni di gestione dell'alimentazione nelle schede PCMCIA
• Sistemi di automazione che richiedono una commutazione affidabile
• Circuiti elettronici che necessitano di un design compatto a montaggio superficiale

Qual è l'impatto delle temperature più elevate sulle prestazioni?

Temperature più elevate possono aumentare la resistenza di accensione, riducendo potenzialmente l'efficienza. Il dispositivo funziona in modo sicuro fino a 150°C, mantenendo la funzionalità anche in condizioni difficili.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?

La tensione di soglia del gate, compresa tra 0,4V e 0,95V, indica la tensione minima necessaria per attivare il dispositivo. Il mantenimento di questo intervallo garantisce una commutazione efficace del carico.

Questo prodotto è adatto alle applicazioni a commutazione rapida?

Sì, il MOSFET facilita le transizioni rapide tra gli stati on e off, riducendo la perdita di energia e migliorando la reattività del circuito.

Quali sono le precauzioni da prendere durante l'installazione?

È consigliabile utilizzare un dissipatore di calore adeguato quando si opera in prossimità della corrente massima nominale per evitare il surriscaldamento. A causa della struttura a montaggio superficiale, si raccomanda di utilizzare tecniche di saldatura adeguate.

Questo dispositivo può essere utilizzato per applicazioni ad alta potenza?

Il dispositivo può gestire continuamente 4,3A

tuttavia, per ottenere prestazioni ottimali è essenziale valutare i requisiti di potenza e la gestione termica dell'applicazione specifica.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,3 A
Tensione massima drain source	12 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	50 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.95V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.04mm
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	10 nC a 5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C