MOSFET Infineon, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 301-316
Codice costruttore:: IRLML6401TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 301-316
Codice costruttore:: IRLML6401TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,3 A
Tensione massima drain source	12 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	50 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.95V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	10 nC a 5 V
Lunghezza	3.04mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Infineon, canale P, 50 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon

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