MOSFET Infineon, canale Tipo P 12 V, 50 mΩ Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, Micro, Superficie IRLML6401TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
301-316
Codice costruttore:
IRLML6401TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

Micro

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 4,3 A, dissipazione di potenza massima di 1,3 W - IRLML6401TRPBF


Questo MOSFET a canale P è progettato per garantire l'efficienza e quindi è adatto alle applicazioni che richiedono una gestione efficace della potenza. Utilizzando la tecnologia HEXFET, offre una bassa resistenza di accensione, con conseguente riduzione della perdita di potenza durante il funzionamento. Il design robusto gli consente di resistere alle alte temperature, rendendolo adatto agli ambienti in cui le prestazioni sono essenziali.

Caratteristiche e vantaggi


• Elaborazione avanzata per una bassissima resistenza all'accensione

• Tensione massima della sorgente di drenaggio di 12 V

• Capacità di corrente di drenaggio continua di 4,3A

• Tolleranza della temperatura di giunzione fino a 150°C

• Ottimizzato per le applicazioni di commutazione rapida, migliorando l'efficienza

• Pacchetto compatto SOT-23 per progetti di circuiti efficienti dal punto di vista dello spazio

Applicazioni


• Sistemi di gestione delle batterie e dei carichi

• Elettronica portatile in cui sono richiesti componenti a basso profilo

• Soluzioni di gestione dell'alimentazione nelle schede PCMCIA

• Sistemi di automazione che richiedono una commutazione affidabile

• Circuiti elettronici che necessitano di un design compatto a montaggio superficiale

Qual è l'impatto delle temperature più elevate sulle prestazioni?


Temperature più elevate possono aumentare la resistenza di accensione, riducendo potenzialmente l'efficienza. Il dispositivo funziona in modo sicuro fino a 150°C, mantenendo la funzionalità anche in condizioni difficili.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?


La tensione di soglia del gate, compresa tra 0,4V e 0,95V, indica la tensione minima necessaria per attivare il dispositivo. Il mantenimento di questo intervallo garantisce una commutazione efficace del carico.

Questo prodotto è adatto alle applicazioni a commutazione rapida?


Sì, il MOSFET facilita le transizioni rapide tra gli stati on e off, riducendo la perdita di energia e migliorando la reattività del circuito.

Quali sono le precauzioni da prendere durante l'installazione?


È consigliabile utilizzare un dissipatore di calore adeguato quando si opera in prossimità della corrente massima nominale per evitare il surriscaldamento. A causa della struttura a montaggio superficiale, si raccomanda di utilizzare tecniche di saldatura adeguate.

Questo dispositivo può essere utilizzato per applicazioni ad alta potenza?


Il dispositivo può gestire continuamente 4,3A; tuttavia, per ottenere prestazioni ottimali è essenziale valutare i requisiti di potenza e la gestione termica dell'applicazione specifica.

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