MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 600 mΩ Miglioramento, 760 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML5103TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
302-038
Codice Distrelec:
304-36-996
Codice costruttore:
IRLML5103TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

760mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

540mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.4nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 760mA di corrente di scarico continua massima, 540 mW di dissipazione di potenza massima - IRLML5103TRPBF


Questo MOSFET è un componente elettronico versatile, adatto ad applicazioni di commutazione di potenza efficienti. È stato progettato per l'impiego nei settori dell'automazione, dell'elettronica e della meccanica, offrendo una soluzione compatta per compiti ad alte prestazioni. La modalità enhancement channel migliora l'efficienza operativa, rendendolo una scelta popolare nelle applicazioni che richiedono una funzionalità MOSFET affidabile.

Caratteristiche e vantaggi


• Pacchetto compatto SOT-23 adatto a progetti con limiti di spazio

• Elevata corrente di drenaggio continuo di 760 mA per una maggiore durata

• Tensione massima drain-source di 30 V per una vasta gamma di applicazioni

• La bassa Rds(on) di 600mΩ riduce al minimo la perdita di potenza e aumenta l'efficienza

• La carica di gate tipica di 3,4nC riduce le perdite di commutazione

Applicazioni


• Utilizzato nelle soluzioni di gestione e conversione dell'energia

• Adatto per le configurazioni di automazione industriale

• Ideale per progetti di alimentazione a commutazione

• Supporta i sistemi di gestione delle batterie nei dispositivi elettronici

• Impiegato nel controllo motorio che richiedono una commutazione di potenza efficiente

Come si comporta il MOSFET in ambienti ad alta temperatura?


Funziona efficacemente a temperature fino a +150°C, garantendo prestazioni costanti anche in condizioni difficili.

Qual è il significato del basso valore di Rds(on)?


Una bassa Rds(on) di 600mΩ riduce la perdita di energia durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva del sistema.

Questo MOSFET può essere utilizzato in progetti compatti?


Sì, il contenitore SOT-23 consente l'integrazione in applicazioni compatte senza compromettere le prestazioni.

Qual è la tensione massima gate-source che questo dispositivo può gestire?


Può tollerare una tensione massima di gate-source di ±20V, garantendo un funzionamento sicuro entro i limiti specificati.

Come deve essere affrontata l'installazione per ottenere prestazioni ottimali?


La gestione e la disposizione corretta sul PCB sono fondamentali per garantire una gestione termica e una connettività adeguate per ottenere risultati ottimali.

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