MOSFET Infineon, canale P, 600 mΩ, 760 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4744
Codice costruttore:: IRLML5103TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 600 mΩ, 760 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,084 €

(IVA esclusa)

0,102 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,084 €	252,00 €
6000 - 6000	0,079 €	237,00 €
9000 +	0,074 €	222,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4744
Codice costruttore:: IRLML5103TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, 760mA di corrente di scarico continua massima, 540 mW di dissipazione di potenza massima - IRLML5103TRPBF

Questo MOSFET è un componente elettronico versatile, adatto ad applicazioni di commutazione di potenza efficienti. È stato progettato per l'impiego nei settori dell'automazione, dell'elettronica e della meccanica, offrendo una soluzione compatta per compiti ad alte prestazioni. La modalità enhancement channel migliora l'efficienza operativa, rendendolo una scelta popolare nelle applicazioni che richiedono una funzionalità MOSFET affidabile.

Caratteristiche e vantaggi

• Pacchetto compatto SOT-23 adatto a progetti con limiti di spazio
• Elevata corrente di drenaggio continuo di 760 mA per una maggiore durata
• Tensione massima drain-source di 30 V per una vasta gamma di applicazioni
• La bassa Rds(on) di 600mΩ riduce al minimo la perdita di potenza e aumenta l'efficienza
• La carica di gate tipica di 3,4nC riduce le perdite di commutazione

Applicazioni

• Utilizzato nelle soluzioni di gestione e conversione dell'energia
• Adatto per le configurazioni di automazione industriale
• Ideale per progetti di alimentazione a commutazione
• Supporta i sistemi di gestione delle batterie nei dispositivi elettronici
• Impiegato nel controllo motorio che richiedono una commutazione di potenza efficiente

Come si comporta il MOSFET in ambienti ad alta temperatura?

Funziona efficacemente a temperature fino a +150°C, garantendo prestazioni costanti anche in condizioni difficili.

Qual è il significato del basso valore di Rds(on)?

Una bassa Rds(on) di 600mΩ riduce la perdita di energia durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva del sistema.

Questo MOSFET può essere utilizzato in progetti compatti?

Sì, il contenitore SOT-23 consente l'integrazione in applicazioni compatte senza compromettere le prestazioni.

Qual è la tensione massima gate-source che questo dispositivo può gestire?

Può tollerare una tensione massima di gate-source di ±20V, garantendo un funzionamento sicuro entro i limiti specificati.

Come deve essere affrontata l'installazione per ottenere prestazioni ottimali?

La gestione e la disposizione corretta sul PCB sono fondamentali per garantire una gestione termica e una connettività adeguate per ottenere risultati ottimali.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	760 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	600 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	540 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	3,4 nC a 10 V
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm