MOSFET Infineon, canale N, 60 mΩ, 18 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 919-4895
Codice costruttore:: IRLZ24NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 60 mΩ, 18 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 919-4895
Codice costruttore:: IRLZ24NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 45 W - IRLZ24NPBF

Questo MOSFET è un componente essenziale per diverse applicazioni di potenza, noto per le sue prestazioni efficienti e le sue specifiche robuste. La tecnologia HEXFET di Infineon garantisce la precisione nei progetti elettronici, rendendola un'opzione popolare nelle industrie dell'automazione e della meccanica. Controlla efficacemente il flusso di corrente nei dispositivi, con un impatto significativo sui moderni sistemi elettrici.

Caratteristiche e vantaggi

• Supporta una corrente di drenaggio continua massima di 18A per prestazioni elevate
• Funziona con una tensione massima drain-source di 55 V per applicazioni versatili
• La bassa tensione di soglia del gate riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento
• Presenta una bassa resistenza drain-source per una maggiore efficienza
• Capacità di modalità di potenziamento per una commutazione precisa
• Resiste a temperature fino a +175°C, per una funzionalità in condizioni difficili

Applicazioni

• Utilizzato per la gestione dell'alimentazione nei sistemi di automazione industriale
• Integrato negli alimentatori switching per prestazioni ottimali
• Impiegato nei circuiti di azionamento dei motori per un controllo migliore
• Incorporato in vari dispositivi elettronici di consumo per prestazioni affidabili

Quali sono le tensioni gate-source consigliate per un corretto funzionamento?

Il dispositivo è in grado di gestire una tensione massima gate-source compresa tra -16V e +16V, garantendo prestazioni stabili.

Questo componente può essere utilizzato in ambienti ad alta temperatura?

Sì, funziona efficacemente a temperature comprese tra -55°C e +175°C, adatte a diverse applicazioni.

Qual è l'impatto del basso valore di Rds(on) sul consumo energetico?

La bassa resistenza di drain-source minimizza la perdita di potenza, migliorando l'efficienza complessiva e riducendo la generazione di calore durante il funzionamento.

Quali sono le considerazioni da fare durante l'installazione?

È necessario prestare attenzione al tipo di montaggio per garantire un'installazione sicura e un raffreddamento adeguato per evitare il surriscaldamento.

Questo componente è compatibile con i pacchetti TO-220AB standard?

Sì, il suo design è conforme allo standard TO-220AB, per facilitare l'integrazione nei sistemi esistenti.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 5 V
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C