Transistor di potenza STMicroelectronics SGT1D5R10MEA Canale N, 8 Pin, 100 V 474 A, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 881-427
- Codice costruttore:
- SGT1D5R10MEA
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Immagine rappresentativa della gamma
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 10 in più per risparmiare 29%
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
7,68 €
(IVA esclusa)
9,37 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 10 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Risparmio |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 7,68 € | - |
| 10 - 99 | 5,42 € | 29% |
| 100 - 499 | 4,38 € | 42% |
| 500 - 999 | 3,89 € | 49% |
| 1000 + | 3,14 € | 59% |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 881-427
- Codice costruttore:
- SGT1D5R10MEA
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 100V | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Configurazione transistor | Modalità di potenziamento | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 474A | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 658W | |
| Numero pin | 8 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | G-HEMT | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 100V | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Configurazione transistor Modalità di potenziamento | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Corrente massima continua collettore Ic 474A | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 658W | ||
Numero pin 8 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie G-HEMT | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor di potenza STMicroelectronics fornisce perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.
Velocità di commutazione molto elevata
Capacità estremamente basse
Carica di recupero inverso zero
Link consigliati
- Transistor di potenza STMicroelectronics SGT1D5R10MEA Canale N 100 V 474 A, Montaggio superficiale
- Transistor di potenza STMicroelectronics SGT3D5R10MEB Canale N 100 V 201 A, Montaggio superficiale
- Transistor di potenza STMicroelectronics SGT240R70ITK TO-252 (D-PAK-3) Canale N 700 V 10 A, Montaggio
- 2 Transistor di potenza Infineon Doppio N 12.19 mΩ SuperSO
- Transistor di potenza Infineon Mezzo ponte 45 A 40 V Montaggio superficiale Miglioramento, 8
- Transistor di potenza Infineon Mezzo ponte 60 A 40 V Montaggio superficiale Miglioramento, 8
- Transistor Digitale onsemi NTHD3100CT1G ChipFET Canale N e canale P Superficie
- Transistor Digitale onsemi Canale N Superficie
